SRAM是隨機存取存儲器的一種。這種存儲器只要保持通電，里面儲存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。SRAM不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲的數(shù)據(jù)。
 
      下面介紹一款可替代IS61WV12816DBLL-10BLI高速低功耗異步SRAM芯片EMI502NL16LM-55I
 
      我司英尚國際推薦一款國產(chǎn)SRAM芯片,型號EMI502NL16LM-55I產(chǎn)品,該系列由EMI先進的全CMOS工藝技術制造。位寬為128Kx 16的2Mbit的SRAM芯片，電源電壓范圍為2.3V?3.6V。
 
      EMI502NL16LM-55I具備三態(tài)輸出和TTL兼容，低數(shù)據(jù)保持電壓：1.5V（最小值），這些系列支持工業(yè)溫度范圍和芯片規(guī)模封裝，以使用戶靈活地進行系統(tǒng)設計。該系列還支持低數(shù)據(jù)保持電壓，以低數(shù)據(jù)保持電流實現(xiàn)電池備份操作。封裝采用標準48BGA。
 
      封裝引腳配置
   
      安徽偉凌創(chuàng)芯（EMI）公司是專注存儲SRAM/PSRAM芯片、顯示驅(qū)動，接口轉(zhuǎn)換芯片設計、生產(chǎn)及銷售的塢無晶圓半導體公司。為行業(yè)客戶提供高品質(zhì)、低成本，供貨持續(xù)穩(wěn)定的自主知識產(chǎn)權的集成電路產(chǎn)品，產(chǎn)品領域涵蓋智能感知、網(wǎng)絡可視化、信息化、信息安全、大數(shù)據(jù)分析、智能語音、應用展現(xiàn)、特種通信和智能建筑等。

本文關鍵詞：SRAM,IS61WV12816DBLL-10BLI

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